2028卒向け
長期有給インターンシップ
このページでは、ルネサスの長期有給インターンシップについてご案内します。
以下のテーマについては、当社の社員として1~3ヶ月程勤務いただく、採用直結型プログラムとなっています。
2 Weekの短期就業体験型インターンシップをご希望の場合は、当社のマイページからご応募ください。
募集要項
募集会社
ルネサス エレクトロニクス株式会社
業務内容・就業場所
各テーマごとに異なります。
詳細は各テーマの項をご確認ください。
契約期間
期間については各テーマごとに異なります。
以下の項については各テーマ共通です。
- 原則として、週5日勤務（実働7時間45分、休憩1時間）
豊洲本社 ：9:00~17:45
武蔵事業所：8:45~17:30
高崎事業所：8:30~17:15
- 本人希望かつ会社許可の場合のみ時間外労働の可能性があり、その分は所定時間超過分の時給を支給する。
- 休日：完全週休2日制（土・日）、国民の祝日
- 試用期間：なし
- インターンシップ契約の更新は行わない
待遇
時給1,800円（当月分、翌月支払い）
- 当社規定に則り、通勤費を支給します
- 当社規定に則り、現居住地からの通勤が困難な場合に限り、宿泊施設を用意します
応募条件
以下の3項目と各テーマに設けた条件に該当する方
- 当社の短期就業体験型インターシップに応募していない方
- インターシップ参加前までに、学生賠償責任保険（または任意の傷害保険）に加入いただける方
- 必要な場合は、ご自身で資格外活動許可を取得できる方（日本国籍以外の方）
応募方法
各テーマのエントリーフォームより、期限までにご応募ください（応募は1テーマのみ可能）。その際、以下の2つの書類をご用意ください。書類選考や面接を行い、受入学生を決定します。
なお、長期有給インターンシップは当社のマイページからはご応募できませんのでご注意ください。
- 履歴書（様式自由）
- ご自身の研究内容をまとめた資料（様式自由）
加入保険に関する事項
労災保険：加入あり
健康保険、厚生年金保険、雇用保険：加入なし
受動喫煙防止措置
本社：屋内禁煙 (屋内喫煙可能場所あり)
武蔵事業所・高崎工場：敷地内禁煙 (屋外喫煙可能場所あり)
テーマ一覧
①パワーデバイス（PowerMOSFET）の電気的特性評価と応用検証
②パワーデバイス(MOSFET)のテスト設計と評価実習
③低電圧 MOSFET素子開発
④PMIC等の設計・評価業務
⑤IPD(Intelligent Power Device)の設計・評価業務
①パワーデバイス（PowerMOSFET）の電気的特性評価と応用検証
実施内容
（変更の範囲：会社の定める業務）
開発中製品（PowerMOSFET）に関する 特性評価，応用回路評価，評価レポート作成，報告
（変更の範囲：会社の定める業務）
就業場所
（変更の範囲：会社の定める場所）
高崎事業所
日程
9月2日（水）~ 12月28日（月）の1～3ヶ月 ※参加者の都合を踏まえ、個別に決定する
(大学の都合等で期間の変更を希望される場合はご相談ください。)
募集人数
最大2名程度
本テーマに関する追加の応募条件
- 理工系学生（電気工学系が望ましい）
- パワーデバイス半導体製品の特性評価や応用回路評価に興味ある方
応募期限
2026年7月5日（日）
応募方法
※応募リンク準備中
専用フォームに移動後、必須項目を入力し、履歴書、研究に関する資料をアップロードのうえご応募ください。
②パワーデバイス(MOSFET)のテスト設計と評価実習
実施内容
（変更の範囲：会社の定める業務）
パワーデバイス半導体製品のテスト設計フローを実際のサンプルとテスタを使用して、基礎的な技術の習得から実践的な業務を体験して頂きます。
（変更の範囲：会社の定める業務）
就業場所
（変更の範囲：会社の定める場所）
高崎事業所
日程
9月2日（水）~ 12月28日（月）の1～3ヶ月 ※参加者の都合を踏まえ、個別に決定する
(大学の都合等で期間の変更を希望される場合はご相談ください。)
募集人数
最大1名程度
本テーマに関する追加の応募条件
- 理工系学生
- パワーデバイス半導体製品の開発/テストに興味のある方
- 英語でのコミュニケーションが可能な方
応募期限
2026年7月5日（日）
応募方法
※応募リンク準備中
専用フォームに移動後、必須項目を入力し、履歴書、研究に関する資料をアップロードのうえご応募ください。
③低電圧 MOSFET素子開発
実施内容
（変更の範囲：会社の定める業務）
定格20～30VのパワーMOSFET素子開発
・パワーMOSの設計（レイアウト設計、TCADを用いた素子構造設計）
・前工程試作ロットの管理、特性データの整理、まとめ等
（変更の範囲：会社の定める業務）
就業場所
（変更の範囲：会社の定める場所）
高崎事業所
日程
9月2日（水）~ 9月30日（水）
(大学の都合等で期間の変更を希望される場合はご相談ください。)
募集人数
最大2名程度
本テーマに関する追加の応募条件
- 半導体物理、電子回路技術、半導体製造プロセス技術、またはそれに関連する技術
- MOSFET素子または製造プロセスに関する基礎的な理解
応募期限
2026年7月5日（日）
応募方法
※応募リンク準備中
専用フォームに移動後、必須項目を入力し、履歴書、研究に関する資料をアップロードのうえご応募ください。
④PMIC等の設計・評価業務
実施内容
（変更の範囲：会社の定める業務）
私たちは、脱炭素社会の実現に向けて、様々な電子機器に不可欠なPMIC（パワーマネジメントIC）の開発に取り組んでいます。このインターンシップでは、実際のMixed-signal半導体製品開発について学ぶことができます。設計、理論分析、シミュレーション、評価といった核となる業務を体験することが可能です。あなたが手掛けた設計が実際の製品に採用されるチャンスもあります。
一緒に働く61名のエンジニアのうち25名は外国籍のメンバーで、多様性豊かなチーム環境を体験できます。加えて海外留学や就業の経験者も多数いるため、会議は英語で行われます。これは、グローバルな仕事の進め方を体験する貴重な機会となります。英語に自信がない方でもご安心ください。当社の社員がサポートします。
（変更の範囲：会社の定める業務）
就業場所
（変更の範囲：会社の定める場所）
豊洲本社
日程
開始日：8月19日（水）～9 月4日（金）
※8月27日（木）～9月1日（火）は除く
終了日：10月30日（金）
※1～2ヶ月程度のプログラムを想定。参加者の都合等を踏まえ、上記期間の範囲内で個別に調整する。
本テーマに関する追加の待遇
インターンシップ中の評価に基づき、表彰金を支給する場合がある。
募集人数
最大3名程度
本テーマに関する追加の応募条件
- 電気・電子回路系の学士、修士、博士課程に在籍している方
（アナログ/デジタル回路、設計検証、アナログレイアウト等を研究テーマとされている学生が望ましい） - 英語で基本的なコミュニケーションがとれる方
応募期限
2026年7月5日（日）
応募方法
応募はこちらから
専用フォームに移動後、必須項目を入力し、履歴書、研究に関する資料をアップロードのうえご応募ください。
⑤IPD(Intelligent Power Device)の設計・評価業務
実施内容
（変更の範囲：会社の定める業務）
自動車業界は電動化・自動運転・コネクテッド化が同時に進行し、各メーカーが新たなビジネスモデルと技術革新にしのぎを削る変革期にあります。この変化の中核を担うのが車載半導体であり、その需要はかつてないほど高まっています。私たちのチームは、従来のヒューズやメカリレーに代わる次世代デバイス“IPD”を開発しています。電動化・自動運転の進展に伴い多様な用途で需要が拡大しており、将来性の高い車載半導体デバイスです。
本インターンシップでは、Power Device・Mixed-signal 半導体の実製品開発に携わり、アナログ・デジタル設計・シミュレーション・レイアウトといった一連の開発プロセスを実践的に体験できます。実開発品でのデバイス評価にも取り組め、あなたの設計が量産製品に採用される可能性もあります。研究室で培った専門知識を、リアルな製品開発の現場で活かせる貴重な機会です。
さらに、大学での研究を進める中で技術的な壁にぶつかっているならば、この機会に気軽に相談してください。半導体開発の第一線で活躍するエンジニアが、あなたの研究についても一緒に考え、サポートすることも可能です。 業務は主に日本語ですが、海外拠点を含む多国籍のエンジニアが在籍しており、英語でのコミュニケーション機会も豊富です。国際的な開発チームの一員として働く経験が得られます。
（変更の範囲：会社の定める業務）
就業場所
（変更の範囲：会社の定める場所）
武蔵事業所
日程
9月2日(水)~9月30日(水)
（大学の都合等で期間の変更を希望される場合はご相談ください。）
募集人数
最大4名程度
本テーマに関する追加の応募条件
- 電気・電子回路系の学士、修士、博士課程に在籍している方
（アナログ/デジタル回路、設計検証、アナログレイアウト等を研究テーマとされている学生が望ましい） - 英語で基本的なコミュニケーションがとれる方
応募期限
2026年7月5日（日）
応募方法
応募はこちらから
専用フォームに移動後、必須項目を入力し、履歴書、研究に関する資料をアップロードのうえご応募ください。
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